三星推1.25伏服务器内存 耗电量减少15%

9月16日消息,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四在一项声明中称,它已经开发出一种新的基于30纳米级技术的低功率DRAM内存芯片。这种16GB DDR3RDIMM(注册双列直插内存模块)内存模块本周四在新加坡正式公开披露。这种内存模块耗电量为1.25伏,可用于企业服务器

三星称,这种最新的DRAM内存芯片代表了三星扩展环保的节能半导体的努力。与目前的内存模块相比,这种新的内存芯片能把耗电量减少15%。

与1.35伏的40纳米级的服务器内存芯片相比,这种新的内存芯片的耗电量减少了一半。

三星预测称,由于更多的企业正在建造数据中心,这种芯片的需求将很大。三星表示,它还将推出4GB8GB和16GB的RDIMM内存模块。

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